G01N20RE دیتاشیت

G01N20RE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G01N20RE
حجم فایل 78.267 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G01N20RE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G01N20RE
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 1.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.87Ω
  • Package: TO-92-3
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه